Resistenza a chip RF 2W-800W DC-18GHz per stazioni base e apparecchiature di prova

Questa serie diResistori a chip RF, terminazioni e attenuatori sono progettati per circuiti di alimentazione ad alta frequenza. Utilizza materiali di substrato AlN (nitruro di alluminio) o Al₂O₃ (ossido di alluminio), offrendo un'eccellente dissipazione del calore e stabilità termica. L'impedenza standard è 50Ω. La gamma di potenza copre da 2 W a 800 W. La gamma di frequenza va da DC a 18GHz. Sono disponibili diversi tipi di pacchetti, inclusi gli stili con montaggio su chip, con piombo e su flangia. Questi si adattano a vari requisiti di layout del circuito RF. Sono ampiamente utilizzati nelle stazioni base di comunicazione, apparecchiature di test e misurazione, amplificatori di potenza, isolatori.

• Impedenza standard – 50Ω
• Tolleranza sulla resistenza – ±3%, ±5%
• Gamma di potenza: da 2 W a 800 W
• Gamma di frequenza: da CC a 18 GHz
• Materiale del substrato – AlN, Al₂O₃
• Coefficiente di temperatura – ±150ppm/°C
• Temperatura di funzionamento: da -55°C a +175°C
• Materiale dell'elettrodo: nichel + argento

• Amplificatori di potenza della stazione base di comunicazione
• Apparecchiature per test e misurazioni RF
• Terminali di comunicazione satellitare
• Isolatori e circolatori RF
• Apparecchiature di trasmissione televisiva
• Apparecchiature mediche RF
• Sistemi avionici

D: Quali sono i vantaggi del substrato AlN rispetto ad Al₂O₃?

R: AlN (nitruro di alluminio) offre una maggiore conduttività termica (circa 170 W/mK), fornendo una migliore dissipazione del calore per applicazioni RF ad alta potenza. L'Al₂O₃ (ossido di alluminio) ha un costo inferiore ed è adatto per applicazioni di potenza medio-piccola. Entrambi offrono un buon isolamento e stabilità termica. La selezione dipende dal livello di potenza e dal budget di costo.

D: Che impatto ha il VSWR sui sistemi RF?

R: Più il VSWR è vicino a 1:1, migliore è l'adattamento dell'impedenza, con conseguente minore riflessione del segnale e maggiore efficienza di trasferimento di potenza. Questa serie offre un VSWR pari a 1,20:1, garantendo un eccellente adattamento dell'impedenza su un'ampia gamma di frequenze e riducendo la riflessione del segnale e la perdita di potenza.

D: Come selezionare la potenza nominale per le terminazioni?

R: La potenza nominale della terminazione deve essere da 1,5 a 2 volte la potenza RF effettiva per garantire un funzionamento affidabile a lungo termine. Dovrebbero essere prese in considerazione anche la temperatura ambiente e le condizioni di dissipazione del calore. Quando si opera a temperature superiori a 70°C, è necessario un declassamento in base alla curva di declassamento della potenza. Questa serie copre da 2 W a 800 W per soddisfare vari requisiti di alimentazione.

D: Quali tipi di pacchetti sono supportati per questa serie?

R: Sono supportati tre tipi di pacchetti: chip (SMD), con piombo e montaggio su flangia. Il tipo di chip è adatto per linee di produzione SMT automatizzate. Il tipo con piombo è adatto per la saldatura manuale e la prototipazione. Il montaggio a flangia offre la migliore dissipazione del calore ed è adatto per applicazioni ad alta potenza.