| Tensione di alimentazione | ±15~±24V |
|---|---|
| Ingresso | 1000A |
| Produzione | 200 mA |
| Foro passante primario | 40.5mm |
| Materiale plastico | PBT G30/G15, UL94-V0 |
| Tensione di alimentazione | +15V±5% |
|---|---|
| Ingresso | 25a |
| Produzione | 25mA±0,5% |
| Rapporto di curva | 1:1000 |
| Temperatura operativa | -40 ~+85 ℃ |
| Tensione di alimentazione | ±15 V ±5% |
|---|---|
| Ingresso nominale | 0A~50A |
| Potenza nominale | 10mA±0,5%,25mA±0,5%, |
| Installazione | Montaggio di PCB |
| Sfalsi la corrente | ≤±0,25 mA |
| Tensione di alimentazione | 5 V (±5%) |
|---|---|
| Ingresso nominale | 0A~50A |
| Potenza nominale | ±0,8 V±0,5% |
| Tensione di compensazione | 2,5 V±0,5 |
| Deriva di tensione in uscita | ≤±0,05 mV/℃ |
| Rapporto di curva | 1:2000,1:3000 |
|---|---|
| Ingresso nominale | 100A,200A,300A |
| Potenza nominale | 50mA±0,5%, 100mA±0,5% |
| Grado di protezione IP | IP65 |
| Linearità | 6KV,50HZ,1min |
| Tensione di alimentazione | ±15 V±5% |
|---|---|
| corrente in ingresso | 200A-1000A |
| Tensione di uscita | 4,0 V±1% |
| Linearità | ≤1%FS |
| Temperatura operativa | -40 ~+85 ℃ |
| Tensione di alimentazione | ±12 ~ ±15 (±5%) |
|---|---|
| Ingresso nominale | 0A~4000A |
| Potenza nominale | 4,0 V ±1% |
| Isolamento interno | Epossidico incapsulato |
| Forma del nucleo | laminato |
| Rapporto di curva | 1:1000,1:1500,1:2000 |
|---|---|
| Ingresso nominale | 25A,50A,75A,100A |
| Potenza nominale | 25 mA±0,5%, 50 mA±0,5% |
| Tensione di isolamento | 3,0 KV/50 HZ, 1 min O 60 HZ, 1 min |
| Temperatura operativa | -40 ~+85 ℃ |
| Nome di prodotto | Il centro corrente del sensore |
|---|---|
| Materiale | Nanocrystalline, amorfo, acciaio del silicio |
| Applicazione | Hall Effect Current Sensor |
| Posto di produzione | La Cina |
| Abitudine | sì |
| Tensione di alimentazione | ±15 V ±5% |
|---|---|
| Ingresso nominale | 10 mA |
| Potenza nominale | 50mA±0,5% |
| Tensione di isolamento | 6KV,50HZ,1min |
| Temperatura operativa | -10~+80℃ |