| Tensione di alimentazione | ±15 V±5% |
|---|---|
| corrente in ingresso | 200A-1000A |
| Tensione di uscita | 4,0 V±1% |
| Linearità | ≤1%FS |
| Temperatura operativa | -40 ~+85 ℃ |
| Tensione di alimentazione | ±12 ~ ±15 (±5%) |
|---|---|
| Ingresso nominale | 0A~4000A |
| Potenza nominale | 4,0 V ±1% |
| Isolamento interno | Epossidico incapsulato |
| Forma del nucleo | laminato |
| Rapporto di curva | 1:1000,1:1500,1:2000 |
|---|---|
| Ingresso nominale | 25A,50A,75A,100A |
| Potenza nominale | 25 mA±0,5%, 50 mA±0,5% |
| Tensione di isolamento | 3,0 KV/50 HZ, 1 min O 60 HZ, 1 min |
| Temperatura operativa | -40 ~+85 ℃ |
| Nome di prodotto | Il centro corrente del sensore |
|---|---|
| Materiale | Nanocrystalline, amorfo, acciaio del silicio |
| Applicazione | Hall Effect Current Sensor |
| Posto di produzione | La Cina |
| Abitudine | sì |
| Tensione di alimentazione | ±15 V ±5% |
|---|---|
| Ingresso nominale | 10 mA |
| Potenza nominale | 50mA±0,5% |
| Tensione di isolamento | 6KV,50HZ,1min |
| Temperatura operativa | -10~+80℃ |
| Tensione di alimentazione | ±15 V±5% |
|---|---|
| Ingresso | 200A-1000A |
| Produzione | 4,0 V±1% |
| Linearità | ≤1%FS |
| Temperatura operativa | -40 ~+85 ℃ |
| Tensione di alimentazione | ±15 V±5% |
|---|---|
| Ingresso | 400A-2000A |
| Produzione | 4,0 V±1% |
| Specifica | CEI 6044-1 |
| Grado di protezione IP | IP65 |